Wiedza profesjonalna

Lasery półprzewodnikowe wynaleziono w 1962 r., a w 1970 r. osiągnięto działanie na fali ciągłej z podwójną heterostrukturą, stając się głównym źródłem światła w komunikacji optycznej. System InGaAsP/InP obsługuje niskostratne pasmo komunikacyjne 1300/1550 nm, a technologia MOCVD stała się głównym nurtem produkcji.

Moduł szerokopasmowego źródła światła SLED firmy Box Optronics o przepustowości 840 nm i przepustowości 10 nm zapewnia czystsze widmo, niższe zużycie energii i niższy koszt w porównaniu z konwencjonalnymi modelami szerokopasmowymi o dużej mocy, co czyni go produktem o wysokiej wydajności dostosowanym do konkretnych scenariuszy zastosowań.